تستعد شركة سامسونج لخوض غمار التقنيات الجديدة مع إعلانها عن خطط لإطلاق ذاكرة HBM4 عالية الأداء في عام 2025، تعد ذواكر الوصول العشوائي عرض النطاق الترددي العالي (HBM) أحدث تطورات مجال التخزين والذاكرة، وقد بدأت تأخذ مكانًا رئيسيًا في عالم التقنية منذ أن حصلت على اعتماد منظمة JEDEC التي تُشرف على تطوير المواصفات الرسمية للذواكر.
إعلان سامسونج عن إصدار HBM4
ومع إعلان سامسونج عن إصدار HBM4 في عام 2025، يُظهر ذلك التزام الشركة بتقديم تقنيات متقدمة ومبتكرة تلبي احتياجات مجالات متنوعة مثل الحوسبة عالية الأداء وتطبيقات الذكاء الاصطناعي وأجهزة الألعاب والمزيد، سيكون لدينا انتظار مثير لرؤية كيفية تحقيق سامسونج لتقنيات HBM4 فائقة السرعة وكيف ستؤثر على المستقبل المتوقع للتقنية.
ذواكر HBM تتميز بسرعة نقل بيانات استثنائية وقد تمثل قفزة نوعية في تعزيز أداء وسرعة الأنظمة، ومنذ أن ظهرت لأول مرة عام 2013 من إنتاج شركة SK Hynix، واصلت هذه التقنية التطور والنمو بسرعة لتلبية متطلبات التطبيقات الحديثة والأنظمة عالية الأداء.
سامسونج تكشف عن ذاكرة HBM4
أعلنت شركة سامسونج، العملاقة الكورية، خطوة مهمة نحو مستقبل تكنولوجي أفضل من خلال الكشف عن ذاكرة HBM4، هذا الإعلان جاء من قبل السيد سانغ جون هوانغ، نائب الرئيس التنفيذي ورئيس فريق منتجات DRAM في سامسونج.
بينما تقوم الشركة بالتركيز على تحقيق تقدم في تقنيات الذاكرة العرضية لدفع الحوسبة العالية الأداء نحو مراحل متقدمة، فإنها تعزز الأداء الحالي بواسطة طرح ذاكرة HBM3E، هذه الذاكرة تتميز بسرعة نقل بيانات تصل إلى 9.8 جيجابايت في الثانية وعرض نطاق ترددي يصل إلى 1.25 تيرابايت في الثانية لكل حزمة، ستكون هذه الإصدارات مفيدة في تلبية احتياجات الأنظمة البيئية للذكاء الاصطناعي وحوسبة عالية الأداء.
سامسونج تدمج تقنيات حرارية متقدمة لتعزيز ذاكرة HBM4
تقدم تطويرًا مبتكرًا في تكنولوجيا ذواكر عرض النطاق الترددي العالي (HBM) من خلال تقنيات حرارية مثل تجميع الرقائق غير الموصلة (NCF) والترابط النحاسي الهجين (HCB)، هذه التقنيات تعزز أداء الذاكرة وتزيد من سلامة الإشارة وتعزز كفاءة الطاقة، مما يساهم في تحسين أداء الذواكر العالية الأداء.